第2問(4)解答欄(エ)

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正解は④。接合型FETでは、ゲート-ソース間電圧によって空乏層の幅を変え、ソースからドレインへ流れる多数キャリアの通路幅とドレイン電流を制御する。バイポーラトランジスタのベース電流制御とは異なり、入力抵抗が高い電圧制御素子である。制御端子はゲートである。
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令和6年度 第1回・電気通信技術の基礎

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正解は④。接合型FETでは、ゲート-ソース間電圧によって空乏層の幅を変え、ソースからドレインへ流れる多数キャリアの通路幅とドレイン電流を制御する。バイポーラトランジスタのベース電流制御とは異なり、入力抵抗が高い電圧制御素子である。制御端子はゲートである。
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