正解は①。接合形FETは、逆バイアスされたゲート接合の電圧を変えて空乏層の幅、すなわちチャネルの実効幅を調整し、ドレイン電流を制御するのでAは正しい。MOSFETのエンハンスメント形は無印加時にチャネルがなく、デプレション形はチャネルがある。Bは両者を逆に説明しているため誤りである。