第2問（1）解答欄（ア）
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正解は②。Aは誤り。4価のSiへ3価のInを加えると正孔が多数キャリアとなるp形半導体であり、n形ではない。Bは正しい。正孔を作る3価不純物がアクセプタ、自由電子を作る5価不純物がドナーである。よってBのみ正しい。
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総合通信…
令和4年度 第1回・電気通信技術の基礎
令和4年度 第1回・電気通信技術の基礎
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正解は②。Aは誤り。4価のSiへ3価のInを加えると正孔が多数キャリアとなるp形半導体であり、n形ではない。Bは正しい。正孔を作る3価不純物がアクセプタ、自由電子を作る5価不純物がドナーである。よってBのみ正しい。
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