正解は②。Aは誤り。MOSFETはゲート電圧で反転層を変え、制御するのはドレイン―ソース電流であり、ソース電圧やドレイン―ゲート電流ではない。Bは接合FETの空乏層制御を正しく述べるためBのみ正しい。