令和7年度 第1回電気通信技術の基礎半導体・ダイオード・トランジスタ・暗記・知識問題

2半導体・ダイオード・トランジスタ・暗記・知識問題(3)解答欄(ウ)

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工事担任者 総合通信 電気通信技術の基礎 半導体・ダイオード・トランジスタ・暗記・知識問題 第2問(3)の問題文
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正解は①の「Aのみ正しい」です。Aは正しい記述です。可変容量ダイオードはpn接合へ逆方向電圧を加え、空乏層の幅を変えることで接合容量を変化させます。このため電子同調回路や周波数変調回路に使われます。Bは誤りです。バリスタは端子電圧が所定値を超えると抵抗値が急激に小さくなり、大きな電流を流して過電圧を吸収する素子です。記述のように抵抗値が増大して電流を制限するのではありません。したがって正しいのはAだけです。

科目の採点結果

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