令和7年度 第1回電気通信技術の基礎半導体・ダイオード・トランジスタ・暗記・知識問題

2半導体・ダイオード・トランジスタ・暗記・知識問題(2)解答欄(イ)

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工事担任者 総合通信 電気通信技術の基礎 半導体・ダイオード・トランジスタ・暗記・知識問題 第2問(2)の問題文
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正解は③の8キロオームです。エミッタは接地されているので、ベース抵抗にかかる電圧は VCCVBE=100.7=9.3V_{CC}-V_{BE}=10-0.7=9.3 ボルトです。よってベース電流は IB=9.3/(930×103)=10μAI_B=9.3/(930\times10^3)=10\,\mu\mathrm A。直流電流増幅率が50なので、IC=hFEIB=50×10μA=0.5mAI_C=h_{FE}I_B=50\times10\,\mu\mathrm A=0.5\,\mathrm{mA} です。VCE=6V_{CE}=6 ボルトにするにはコレクタ抵抗の電圧降下を 106=410-6=4 ボルトとすればよく、RC=4/(0.5×103)=8kΩR_C=4/(0.5\times10^{-3})=8\,\mathrm{k}\Omega となります。

科目の採点結果

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